Our team
Our team
張 奕勁 / (日) ちょう えきけい / (英) ZHANG, Yijin
准教授
東京大学 大学院理学系研究科 物理学専攻 / 理学部 物理学科
〒113-0033 東京都 文京区 本郷7-3-1 東京大学 理学部1号館 510室
E-mail: zhang.yijin@phys.s.u-tokyo.ac.jp
Tel: +81-3- 5841-7952
2025年 5月 ~ 現在 東京大学 理学系研究科 物理学専攻、准教授
2019年 9月 ~ 2025年 4月 東京大学 生産技術研究所 基礎系部門、助教
2019年 4月 ~ 2019年 8月 ドイツ・マックスプランク固体研究所、研究員
2016年 7月 ~ 2019年 3月 ドイツ・マックスプランク固体研究所、客員研究員
2016年 4月 ~ 2019年 3月 大阪大学 産業科学研究所、学振特別研究員(SPD)
2016年 3月 東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 博士後期課程 修了
学位:博士(工学) / 指導教員:岩佐 義宏 教授
2013年 3月 東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 修士課程 修了
学位:修士(工学) / 指導教員:岩佐 義宏 教授
2011年 3月 東京大学 工学系研究科 物理工学科 卒業
学位:学士(工学) / 指導教員:岩佐 義宏 教授
2009年 4月 東京大学 工学系研究科 物理工学科 進学
2007年 4月 東京大学 教養学部 理科 I 類 入学
2007年 3月 宮城県 仙台第二高等学校 卒業
S. Kawasaki, K. Kinoshita, R. Moriya, M. Onodera, YJZ, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Sasagawa, T. Machida. “Minigap-induced Negative Differential Resistance in Multilayer MoS2-Based Tunnel Junctions” Phys. Rev. Research 6, 033011 (2024).
K. Kinoshita, R. Moriya, S. Okazaki, YJZ, S. Masubuchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Sasagawa and T. Machida. “Polarity-dependent twist-controlled resonant tunnelling device based on few-layer WSe2” Phys. Rev. Research 5, 043292 (2023).
YJZ, K. Kamiya, T. Yamamoto, M. Sakano, X. Yang, S. Masubuchi, S. Okazaki, K. Shinokita, T. Chen, K. Aso, Y. Yamada-Takamura, Y. Oshima, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Matsuda, T. Sasagawa, K. Ishizaka and T. Machida. “Symmetry Engineering in Twisted Bilayer WTe2” Nano Lett. 23, 9280-9286 (2023).
M. Onodera, Y. Wakafuji, T. Hashimoto, S. Masubuchi, R. Moriya, YJZ, K. Watanabe, T. Taniguchi and T. Machida. “All-dry flip-over stacking of van der Waals junctions of 2D crystal flakes based on polymer-to-polymer transfer using polyvinyl chloride” Sci. Rep. 12, 21963 (2022).
Y. Wakafuji, M. Onodera, S. Masubuchi, R. Moriya, YJZ, K. Watanabe, T. Taniguchi and T. Machida. “Evaluation of polyvinyl chloride adhesion to 2D crystal flakes” npj 2D Mater. Appl. 6, 44 (2022).
K. Kinoshita, R. Moriya, S. Okazaki, YJZ, S. Masubuchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Sasagawa and T. Machida. “Resonant tunneling between quantized subbands in van der Waals double quantum well structure based on few-layer WSe2” Nano Letter. 22, 4640-4645 (2022).
Y. Seo, M. Satoru, M. Onodera, R. Moriya, YJZ, K. Watanabe, T. Taniguchi and T. Machida. “Defect-assisted tunneling spectroscopy of electronic band structure in twisted bilayer graphene/hexagonal boron nitride moiré superlattices” Appl. Phys. Lett. 120, 203103 (2022).
Y. Seo, S. Masubuchi, M. Onodera, YJZ, R. Moriya, K. Watanabe, T. Taniguchi and T. Machida. “Subband-resolved momentum-conserved resonant tunnelling in monolayer graphene/h-BN/ABA-trilayer graphene small-twist-angle tunnelling device” Appl. Phys. Lett. 120, 083102 (2022).
YJZ, D. Zhao, Q. Wang and J. H. Smet. “In-situ Raman spectroscopy across superconducting transition of liquid-gated MoS2” Appl. Phys. Lett. 120, 053106 (2022).
YJZ, R. Taniguchi, S. Masubuchi, R. Moriya, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Sasagawa and T. Machida. “Switchable out-of-plane shift current in ferroelectric two-dimensional material CuInP2S6.” Appl. Phys. Lett. 120, 013103 (2022).
K. Takeyama, R. Moriya, S. Okazaki, YJZ, S. Masubuchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Sasagawa and T. Machida. “Resonant tunnelling due to van der Waals quantum-well states of few-layer WSe2 in WSe2/h-BN/p+-MoS2 junction” Nano Lett. 21, 3929-3934 (2021).
A. Ueda, YJZ, N. Sano, H. Imamura and Y. Iwasa. “Ambipolar device simulation based on the drift-diffusion model in ion-gated transition metal dichalcogenide transistors” npj Comput. Mater. 6, 24 (2020).
YJZ, T. Ideue, M. Onga, F. Qin, R. Suzuki, A. Zak, R. Tenne, J. H. Smet and Y. Iwasa. “Enhanced intrinsic photovoltaic effect in tungsten disulfide nanotubes” Nature 570, 349-353 (2019).
F. Qing, T. Ideue, W. Shi, YJZ, R. Suzuki, M. Yoshida, Y. Saito and Y. Iwasa. “Electric-field control of electronic states in WS2 nanodevices by electrolyte gating” J. Vis. Exp. 134, e56862 (2018).
YJZ, M. Onga, F. Qin, W. Shi, A. Zak, R. Tenne, J. H. Smet and Y. Iwasa. “Optoelectronic response of a WS2 tubular p-n junction” 2D Mater. 5, 035002 (2018).
Z. Chi, X. Chen, F. Yen, F. Peng, Y. Zhou, J. Zhu, YJZ, X. Liu, C. Lin, S. Chu, Y. Li, J. Zhao, T. Kagayama, Y. Ma and Z. Yang. “Superconductivity in pristine 2Ha-MoS2 at ultrahigh pressure” Phys. Rev. Lett. 120, 037002 (2018).
YJZ, R. Suzuki and Y. Iwasa. “Potential profile of stabilized field-induced lateral p-n junction in transition-metal dichalcogenides” ACS Nano 11, 12583-12590 (2017).
M. Onga, YJZ, T. Ideue and Y. Iwasa. “Exciton Hall effect in monolayer MoS2” Nature Mater. 12, 1193-1197 (2017).
M. Yoshida, J. T. Ye, YJZ, Y. Imai, S. Kimura, A. Fujiwara, T. Nishizaki, N. Kobayashi, M. Nakano and Y. Iwasa “Extended polymorphism of two-dimensional material” Nano Lett. 17, 5567-5571 (2017).
YJZ, W. Shi, J. T. Ye, R. Suzuki and Y. Iwasa. “Robustly protected carrier spin relaxation in electrostatically doped transition-metal dichalcogenides” Phys. Rev. B 95, 205302 (2017).
M. Onga, YJZ, R. Suzuki and Y. Iwasa. “High circular polarization in electroluminescence from MoSe2” Appl. Phys. Lett. 108, 073107 (2016).
M. Yoshida, T. Iizuka, Y. Saito, M. Onga, R. Suzuki, YJZ, Y. Iwasa and S. Shimizu. “Gate-optimized thermoelectric power factor in ultrathin WSe2 single crystals” Nano Lett. 16, 2061-2065 (2016).
W. Shi, J. T. Ye, YJZ, R. Suzuki, M. Yoshida, J. Miyazaki, N. Inoue, Y. Saito and Y. Iwasa. “Superconductivity series in transition metal dichalcogenides by ionic gating” Sci. Rep. 8, 12534 (2015).
M. Yoshida, R. Suzuki, YJZ, M. Nakano and Y. Iwasa. “Memristive phase switching in two-dimensional 1T-TaS2 crystals” Sci. Adv. 1, e1500606 (2015).
M. Yoshida, YJZ, J. T. Ye, R. Suzuki, Y. Imai, S. Kimura, A. Fujiwara and Y. Iwasa. “Controlling charge-density-wave states in nano-thick crystals of 1T-TaS2” Sci. Rep. 4, 7302 (2014).
R. Suzuki, M. Sakano, YJZ, R. Akashi, D. Morikawa, A. Hawasawa, K. Yaji, K. Kuroda, K. Miyamoto, T. Okuda, K. Ishizaka, R. Arita and Y. Iwasa. “Valley-dependent spin polarization in bulk MoS2 with broken inversion symmetry” Nature Nanotechnol. 9, 611-617 (2014).
YJZ, T. Oka, R. Suzuki, J. T. Ye and Y. Iwasa. “Electrically switchable chiral light-emitting transistor” Science 344, 725-728 (2014).
YJZ, J. T. Ye, Y. Yomogida, T. Takenobu and Y. Iwasa. “Formation of a stable p-n junction in a liquid-gated MoS2 ambipolar transistor” Nano Lett. 13, 3023-3028 (2013).
J. Pu, YJZ, Y. Wada, J. Wang, L. Li, Y. Iwasa and T. Takenobu. “Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics” Appl. Phys. Lett. 103, 23505 (2013).
J. T. Ye, YJZ, Y. Kasahara and Y. Iwasa. “Interface transport properties in ion-gated nano-sheet” Eur. Phys. J. Special Topics 222, 1185-1201 (2013).
J. T. Ye, YJZ, R. Akashi, M. S. Bahramy, R. Arita and Y. Iwasa. “Superconducting dome in a gate-tuned band insulator” Science 338, 1193-1196 (2012).
J. T. Ye, YJZ, Y. Matsuhashi, M. F. Cracium, S. Russo, Y. Kasahara, A. F. Morpurgo and Y. Iwasa. “Gate-induced superconductivity in layered-material-based electric double layer transistors” J. Phys.: Conf. Ser. 400, 022139 (2012).
YJZ, J. T. Ye, Y. Matsuhashi and Y. Iwasa. “Ambipolar MoS2 thin flake transistors” Nano Lett. 12, 1136-1140 (2012).
(Japanese) YJZ, “Bulk photovoltaic effect in transition metal dichalcogenide nanotube” Membership Journal of The Physical Society of Japan 91, 91-95 (2022).
(Japanese) T. Ideue, YJZ, F. Qin, and Y. Iwasa. “Novel quantum transport in transition metal dichalcogenides nanotube” Solid State Physics 56, 23-32 (2021).
YJZ, M. Yoshida, R. Suzuki and Y. Iwasa. “2D crystals of transition metal dichalcogenide and their iontronic functionalities” 2D Mater. 2, 044004 (2015).
(Japanese) YJZ & Y. Iwasa. “Two-Dimensional Crystals of Transition Metal Dichalcogenides –From Superconductivity to Circularly Polarized Light Source–“ Membership Journal of The Physical Society of Japan 69, 771-776 (2014).